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dc.contributor.advisorEspitia Rico, Miguelspa
dc.contributor.advisorDíaz Forero, John Hernánspa
dc.contributor.authorBáez Cruz, Ricardo Eulisesspa
dc.date.accessioned2015-07-30T19:56:11Z
dc.date.accessioned2017-12-12T21:56:42Z
dc.date.available2015-07-30T19:56:11Z
dc.date.available2017-12-12T21:56:42Z
dc.date.issued2013
dc.identifier.otherTE-16426
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.12209/2033
dc.description.abstractEl presente trabajo pretende aportar una herramienta didáctica que facilite la comprensión, manejo y aplicación de conceptos relacionados con la utilización del paquete Wien2k, el cual utilizando para modelar propiedades físicas de compuestos, tales como, Nitruros de metales de transición, Diboruros, Nanoburos, películas delgadas, entre otros; materiales de amplia utilización tecnológica e industrial. Adicionalmente, esta herramienta didáctica será de apoyo en la enseñanza de la física del estado sólido, porque introducirá al lector al modelamiento teórico de materiales. Lo anterior, soporta la construcción de una cartilla que guie expedita y técnica-mente el inicio de la modelación de propiedades estructurales y electrónicas de un sólido, en este caso, la multicapa 1X1 CrN/GaN (Nitruro de Cromo Nutruro de Galio); de manera que el producido final resuelva los niveles de dificultad que el referido paquete y la teoría llevan inmersos, ampliando el rango de aplicación de la temática expuesta en el ámbito de la producción de conocimiento, tanto disciplinar como pedagógico. La investigación realizada condensa el estudio teórico de DTF de la multicapa 1X1 CrN/GaN haciendo uso del programa Wien2k, con lo que se logró encontrar que la multicapa posee propiedades magnéticas y alta rigidez en las fases cristalinas Wurzita y NaCl. A su vez, este proceso investigativo permitió la construcción de una guía técnica que soporta, paso a paso y de forma detallada las especificaciones del uso del paquete Wien2k en la modelación de propiedades estructurales y electrónicas de compuestos.spa
dc.formatPDFspa
dc.format.mimetypeapplication/pdfspa
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad Pedagógica Nacionalspa
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.sourcereponame:Repositorio Institucional de la Universidad Pedagógica Nacionalspa
dc.sourceinstname:Universidad Pedagógica Nacionalspa
dc.subjectMovimiento de la materiaspa
dc.subjectLicenciatura en Física - Tesis y disertaciones académicasspa
dc.subjectElectrones - Investigacionesspa
dc.subjectMultiplacaspa
dc.subjectCartilla - Físicaspa
dc.subjectTeoría del Funcional de la Densida -DFT-spa
dc.subjectCódigo WIEN2Kspa
dc.titleEstudio por DTF de la multicapa 1X1 CrN/GaN: un motivo para la enseñanza del modelamiento de materiales.spa
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesis
dc.publisher.programLicenciatura en Físicaspa
dc.rights.accessAcceso abiertospa
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.relation.referencesSCIENTIFIC AMARICAN. "Física del estado sólido . (1993) 1-7.
dc.relation.referencesA. Zaoui, S. Kacimi, B. Bouhafs and A. Roula. "PHYSICA B, . 358 (2005) 63-71.
dc.relation.referencesZ Dridi, B Bouhafs, P Ruterana and H Aourag. J. "Phys.: Condens. Matter 14 . (2002) 10237-10249.
dc.relation.referencesM. Guemmaz, G moraitiz, A. Mosser, M. A. Khan. Relad Phenom, 83 . (1997) 173- 175
dc.relation.referencesG. Casiano Jimenez, W. López Pérez, C. Ortega López, y J. A. Rodríguez Martínez. . Estabilidad Relativa del Compuesto CrN . Revista Colombiana de Física, vol. 41, No. 3, Octubre 2009.
dc.relation.referencesO. Arbouche, B. Belgoumène, B. Soudini and M. Driz. "First principles study of the relative stability and the electronic properties of GaN . Computational Materials Science 47 (2009) 432-438.
dc.relation.referencesNorikatsu Koide, Toshiki Hikosaka, Yoshio Honda and Masahito Yamaguch. "Journal of Crystal Growth . 284 (2005) 341-346.
dc.relation.referencesS. Saib, N.Bouarissa, P. Rodríguez-Hernández, A. Muñoz. "Structural and dielectric properties of AlN under pressure . Physica B 403 (2008) 4059-4062, 2008 Elsevier B.V.
dc.relation.referencesJ. Birch, T. Joelsson, F. Eriksson , N. Ghafoor, L. Hultman. "Single crystal CrN/ScN superlattice soft X-ray mirrors: Epitaxial growth,structure, and properties . Thin Solid Films 514 (2006) 10-19.
dc.relation.referencesJ. Birch, T. Joelsson, F. Eriksson , N. Ghafoor, L. Hultman. "Single crystal CrN/ScN superlattice soft X-ray mirrors: Epitaxial growth,structure, and properties . Thin Solid Films 514 (2006) 10-19.
dc.relation.referencesV. Rajagopal Reddy, P. Koteswara Rao, C.K. Ramesh. . Annealing e ects on structural and electrical properties of Ru/Au on n-GaN Schottky contacts . Materials Science and Engineering B 137 (2007) 200-204.
dc.relation.referencesRafael González, William López, Jairo Arbey Rodríguez M. "First-principles calculations of structural properties of GaN:V . Solid State Communications 144 (2007) 109-113.
dc.relation.referencesC. Ortega L. a, R. González H. b, J. A. Rodríguez M. . Estudio De Primeros Principios De Las Propiedades Estructurales Y Electrónicas De Las Multicapas (001) GaN/RuN . Revista Colombiana de Física, Vol. 43, No. 3 de 2011.
dc.relation.referencesAlberto Debernardi. "Mn-doped GaN/AlN heterojunction for spintronic devices . Superlattices and Microstructures 40 (2006) 530-532.
dc.relation.referencesVijay Rawat and Timothy D. Sands. "Physcal Review B 80 . 024114 2009.
dc.relation.referencesO. Arbouche, B. Belgoumène, B. Soudini and M. Driz. "First principles study of the relative stability and the electronic properties of GaN . Computational Materials Science 47 (2009) 432-438.
dc.relation.referencesM. Y. Al-Jaroudi, H. T. G. Hentzel, S. E. Harstrom. "Thim Film Solid 190 . (1999) 265.
dc.relation.referencesCésar Ortega López. . Adsorción de átomos de Ru sobre la super cie(0001)GaN y superredes hexagonales (0001)GaN/RuN . Tesis de Doctorado,Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Sede Bogotá (2009) 17-26.
dc.relation.references"Metodología de la investigación I . Universidad Nacional de Santiago del Estero (2008) 5-7.
dc.relation.referencesJorge Serrano Gutierrez. "Propiedades estructurales y electrónicas del GaN y AlN por DFT
dc.relation.referencesJ.P.McKelvey. "Física del estado sólido y de semiconductores . Editorial Limusa S.A.de C.V. Grupo Noriega editores, Mexico (1996) 13-14.
dc.relation.referencesPatricia Fernandez , Alberto Jardon. "Simulaciones en la enseñanza de la fisica . Revista de Enseñanza de la Fisica.Vol 24 No2.(2011) 27-48.
dc.relation.referencesRafael Julián González Hernández. . Adsorción y difusión de metales de transición 3d sobre la super cie(0001)GaN. Estudio mediante DFT . Tesis de Doctorado.Universidad Nacional de Colombia-Facultad de CienciasDepartamento de Física Sede Bogotá.(2010) 7-21.
dc.relation.referencesXavier Iago Andrade Valencia. Çálculo de la estructura electrónica por un método multinivel . TESIS DE MAGÍSTER. FACULTAD DE CIENCIAS. UNIVERSIDAD DE CHILE.(2004).
dc.relation.referencesGERARDO MARTÍNEZ RUGERIO. Çálculo de primeros principios de la super cie si (001)c(2x4) Saturada con úor . CENTRO DE INVESTIGACIÓN CIENTÍFICA Y DE EDUCACIÓN SUPERIOR DE ENSENADA.(2009).
dc.relation.referencesMARÍA JOSÉ HERRERA CABRERA. . Estudio desde primeros principios de propiedades electrónicas y estructurales de compuestos binarios y ternarios .(2005).
dc.relation.referencesCarlos Franca. . ESTUDIO TEÓRICO DE PROPIEDADES FISICOQUÍMICAS DE COMPUESTOS DE INTERÉS FARMACOLÓGICO . Departamento de Química Facultad de Ciencias Exactas Universidad Nacional de la Plata.(2012).
dc.relation.referencesIvan Sciveti. "Hidrogeno más allá de la aproximación clásica . Instituto Balseiro Comisión Nacional de Energías Atómicas Universidad Nacional de Cuyo.(2003).
dc.relation.referencesJuan Carlos Sancho García. "La teoría del funcional densidad y las ecuaciones variacionales de Kohn-Sham: aportación de nuevos aspectos sobre sus posibilidades y limitaciones . Departamento de Química -Física Universidad de Alicante.(2001).
dc.relation.referencesJoaquín Andrés Peralta Camposano. "Propiedades Físicas de Materiales Complejos mediante Simulación Computacional . Facultad de ciencias Universidad de chile.(2010)
dc.relation.referencesDiego Alfonso Pacheco Sáenz. . Análisis de la variación del gap de películas de óxido de titanio respecto a la desviación estequiométrica y su relación con las propiedades físicas . Universidad Distrital Francisco José De Caldas. Proyecto Curricular Licenciatura En Física. Facultad de Ciencias y Educación. Bogotá D,C. Colombia.(2013).
dc.relation.referencesNidia Johanna Rojas Cárdenas. "Diseño de una presentación didáctica dirigida al estudio de compuestos binarios a partir de TiC . Universidad Distrital Francisco José De Caldas. Proyecto Curricular Licenciatura En Física. Facultad de Ciencias y Educación. Bogotá D,C. Colombia.(2013).
dc.relation.referencesP.Dip. . Algunas Consideraciones en Sistemas Moleculares . Escuela de Postgrado Facultad de Ciencias Físicas y Matemáticas Universidad de Chilea.
dc.relation.referencesA.REQUEMA y F.ROMERO. "La aproximación de Born-Oppenheimer
dc.relation.referencesShohini Ghose, Paul M. Alsing, Ivan H. Deutsch. . Atomic motion in magnetooptical double-well potentials: A new testing ground for quantum chaos . Dept. of Physics and Astronomy, University of New Mexico, Albuquerque, NM, 87131
dc.relation.referencesV.L. Pokrovsky. "Semiclassical and Adiabatic Approximation in Quantum Mechanics
dc.relation.referencesHenrik Stegeby, Konrad Piszczatowski, Hans O Karlsson, Roland Lindh and Piotr Froelich. "Variational calculations for the hydrogenantihydrogen system with a massscaled BornOppenheimer potential . Department of Chemistry-Angstrom, The Theoretical Chemistry Programme, Uppsala University, Box 518, 75120 Uppsala, Sweden.(2012).
dc.relation.referencesFundamentos de cálculos electrónicos. "teoria de Hartree-fock capitulo2
dc.relation.referencesFuncionales de la densidad. ïntroduccion
dc.relation.referencesP. Hohenmber; W. Kohn. "Phys.Rew.,1964
dc.relation.referencesW. Kohn; L. J. Sham. "Phys.Rew.,1965
dc.relation.referencesPerdew J., Burke K., Ernzerhof M. Generalized Gradient Approximation Made Simple . Physical Review Letter. , ISSN 1079-7114, 77 (18), 3865-3868, 1996.
dc.relation.referencesAllen Nussbaum. "Teoría de grupos aplicada para químicos físicos e ingenieros . Editorial Reverté S.A. Espeña (1974) 271.
dc.relation.referencesCinvestav. http: // www. fis. cinvestav. mx/ ~daniel/ thELA. pdf 41-52.
dc.relation.referencesLady Andrea Salguero Cruz. . Estudio mediante FP-LAPW de las propiedades estructurales y electronicas del SrN y el ZrN . Tesis de Maestría,Universidad Nacional de Colombia, Departamento de Física Sede Bogotá (2004) 28-45.
dc.relation.referencesA. Zaoui, S. Kacimi, B. Bouhafs and A. Roula. First-principles study of bonding mechanisms in the series of Ti, V, Cr, Mo, and their carbides and nitrides . Physica B: Condesed Matter.,ISSN 0921-4526, 358, 63-71, 2005
dc.relation.referencesZ Dridi, B Bouhafs, P Ruterana, H Aourag. First-principles calculations of vacancy e ects on structural and electronic properties of TiCx and TiNx . Journal Physic Condensed Matter.,ISSN 1361-648X, 14, 1023710249 (2002).
dc.relation.referencesI. Pollini, A. Mosser and J. C. Parlebas. Electronic, spectroscopic and elastic properties of early transition metal compounds .Physics Reports., ISSN 0370- 1573, 355, 172, 2001.
dc.relation.referencesC. Kral, W. Lengauer, D. Rafaja and P. Ettmayer. Critical review on the elastic properties of transition metal carbides, nitrides and carbonitrides .Journal of Alloys and Compounds., ISSN 0925-8388, 265, 215234, 1998.
dc.relation.referencesC. Kral, W. Lengauer, D. Rafaja and P. Ettmayer. Critical review on the elastic properties of transition metal carbides, nitrides and carbonitrides .Journal of Alloys and Compounds., ISSN 0925-8388, 265, 215234, 1998.
dc.relation.referencesAbbes Beloufa, Zouaoui Bensaad, Bel-Abbes Soudini, Nadir Sekkal, Abdelallah Bensaad and Hamza Abid. First-principles calculations of the structural and electronic properties of AIN, GaN, InN, AIGaN and InGaN .International Journal of Nanoelectronics and Materials., ISSN 2232-1535, 2 (1), 11- 22, 2009
dc.relation.referencesAbbes Beloufa, Zouaoui Bensaad, Bel-Abbes Soudini, Nadir Sekkal, Abdelallah Bensaad and Hamza Abid. First-principles calculations of the structural and electronic properties of AIN, GaN, InN, AIGaN and InGaN .International Journal of Nanoelectronics and Materials., ISSN 2232-1535, 2 (1), 11- 22, 2009
dc.relation.referencesJ.-M. Wagner and F. Bechstedt. Properties of strained wurtzite GaN and AlN: Ab initio studies . Physical Review B., ISSN 1550-235x, 66, 115202, 2002.
dc.relation.referencesVijay Rawat and Timothy D. Sands. Growth of TiN/GaN metal/semiconductor multilayers by reactive pulsed laser deposition . Journal of Applied Physics., ISSN 1286-0050, 100, 064901, 2006.
dc.relation.referencesVijay Rawat and Timothy D. Sands. Pseudomorphic stabilization of rocksalt GaN in TiN/GaN multilayers and superlattices . Physcal Review B, ISSN 1550- 235x, 80, 024114, 2009.
dc.relation.referencesSchwarz Karlheins. DFT calculations of solids with LAPW and WIEN2k . Journal of Solid State Chemistry, ISSN 0022-4592, 176, 319-328, 2003.
dc.relation.referencesPerdew J., Burke K., Ernzerhof M. Generalized Gradient Approximation Made Simple . Physical Review Letter., ISSN 1079-7114, 77 (18), 3865-3868, 1996.
dc.relation.referencesRafael González, William López y Jairo Arbey Rodríguez M. First-principles calculations of structural properties of GaNV . Solid State Communications., ISSN 0038-1098, 144, 109113, 2007.
dc.relation.referencesLuis Mancera, Jairo A. Rodríguez y Noboru Takeuchi. Theoretical study of the stability of wurtzite, zinc-blende, NaCl and CsCl phases in group IIIB and IIIA nitrides . Physic Status Solid B, ISSN 1521-3951, 241 (10), 2424 (2004)
dc.relation.referencesNoboru Takeuchi. First-principles calculations of the ground-state properties and stability of ScN . Physical Rewiew B., ISSN 1550-235x , 65, 045204, 2002.
dc.relation.references] S.-H. Jhi, J. Ihm, S.G. Louie and M.L. Cohen. Electronic Mechanism of Hardness Enhancement in Transition-Metal Carbonitrides . Nature., ISSN 0028-0836, 399, 132134,1999.
dc.relation.referencesJ. Ru nus. Magnetic p roperties of M-doped (M = T i, V , or Cr) GaN clusters , Journal of Magnetism and Magnetic Materials., ISSN 0304-8853, 310, 16661668,2007.
dc.relation.referencesJorge Serrano Gutiérrez. Modelos teóricos 5-7.
dc.relation.referencesO. Uzengi Akturk and M. Tomak. Lithium and antimony adsorbed on grapheme studied by rst-principles calculations. roperties of M-doped (M = T i, V , or Cr) GaN clusters , Applied Surface Science.,258.
dc.relation.referencesA. J. Steckl and R. Birkahn., Appl. Phys. Lett..,73(12):1700-1702, 1998. doi:10.1063/1.122250.
dc.relation.references] Hiroto Tachikawa, Tetsuji Iyama, and Kazuhisa Azumi. Density Functional Theory Study of Boron- and Nitrogen-Atom-Doped Graphene Chips , Japanese Journal of Applied Physics.50 (2011) 01BJ03.
dc.relation.referencesT. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand.Science.287, 1019 2000
dc.publisher.facultyFacultad de Ciencia y Tecnologíaspa
dc.type.localTesis/Trabajo de grado - Monografía – Pregradospa
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1feng
dc.description.degreenameLicenciado en Físicaspa
dc.description.degreelevelTesis de pregradospa
dc.type.driverinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesiseng
dc.identifier.instnameinstname:Universidad Pedagógica Nacionalspa
dc.identifier.instnameinstname:Universidad Pedagógica Nacionalspa
dc.identifier.reponamereponame: Repositorio Institucional UPNspa
dc.identifier.repourlrepourl: http://repositorio.pedagogica.edu.co/
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/acceptedVersion
dc.type.versionhttp://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
dc.rights.creativecommonsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International


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